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    • 专利摘要:
    本發明涉及一種平板顯示器，尤其涉及一種驅動電路，其設置在平板顯示器中並消除了在儲存與用於驅動顯示面板的驅動電壓有關的資料的記憶體中之資料抹除的問題。該平板顯示器的驅動電路包括：記憶體，其在第一序列模式與第二序列模式下運作，並當用於選擇序列模式的複數個控制端子的至少其中之一接地並輸出對應驅動電壓的資料時，該記憶體被設定成第二序列模式；控制器，其輸出端子連接至控制端子，並決定記憶體的序列模式；以及保護器，電性連接至輸出端子與控制端子，並且當異常電壓施加到控制端子時，該保護器防止記憶體在第一序列模式下發生故障。因此，平板顯示器能夠增加其的驅動可靠性，因為其包含在施加驅動電壓給顯示面板的電源控制單元中的保護器，並且藉由在正常驅動過程中提供相應的電壓給記憶體以及防止由於被施加的應力所造成的異常電壓，預防記憶體無法預料的序列模式轉變。
    公开号:TW201324485A
    申请号:TW101136255
    申请日:2012-10-01
    公开日:2013-06-16
    发明作者:Hyun-Suk Lee
    申请人:Lg Display Co Ltd；
    IPC主号:G09G3-00
    专利说明:
    平板顯示器及其驅動電路
    本發明涉及一種平板顯示器，尤其是，涉及一種驅動電路，其設置在平板顯示器中並消除了在與儲存用於驅動顯示面板的驅動電壓有關的記憶體的資料中之資料抹除的問題。
    平板顯示器(flat panel display，FPD)為一種替代了傳統陰極射線管(cathode ray tube，CRT)顯示器的顯示設備，這種顯示設備本質上用來實施於輕小型系統，例如，包括筆記型電腦、個人數位助理(personal digital assistant，PDA)等在內的可擕式電腦，可擕式電話等，以及桌上型電腦的顯示器。當前市面上存在的平板顯示器包括液晶顯示器(liquid crystal display，LCD)、電漿顯示面板(plasma display panel，PDP)、有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)顯示器等等。
    第1圖為顯示構成上述平板顯示器中有機發光二極體顯示器的單個像素示例的圖示。
    如圖所示，有機發光二極體顯示器在由掃描線SL與資料線DL所劃分的區域中包括切換薄膜電晶體ST與驅動薄膜電晶體DT，掃描線SL提供掃描信號，資料線DL提供資料信號。掃描線SL與資料線DL相互交叉，並且在掃描線SL與資料線DL的交叉點附近設置有機發光二極體D1。
    切換薄膜電晶體ST的閘極連接至掃描線SL，其源極連接至驅動薄膜電晶體DT的閘極，以及其汲極連接至資料線DL並且作用如切換元件。
    驅動薄膜電晶體DT的閘極連接至切換薄膜電晶體ST的源極以及電容器Cst的一端子，其源極連接至驅動電壓VDDEL，以及其汲極連接至有機發光二極體D1的陽極並且作用如驅動有機發光二極體D1的驅動元件。
    切換薄膜電晶體ST與驅動薄膜電晶體DT可為P型金氧半導體(PMOS)電晶體或P型金氧半導體(NMOS)電晶體。
    電容器Cst的一側連接至切換薄膜電晶體ST的源極以及驅動薄膜電晶體DT的閘極，並且其另一側連接至驅動電壓VDDEL。
    有機發光二極體D1的陽極連接至驅動薄膜電晶體DT的汲極，並且其陰極連接至接地電壓VSS。有機發光層設置在陽極與陰極之間。該有機發光層可包括例如電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、以及電子注入層。此外，該有機發光層也可包括例如電子注入層、電子傳輸層、發光層、電洞傳輸層、以及電洞注入層。
    依據顯示面板，可以不同地設定提供至具有上述結構之有機發光二極體顯示器中該像素的驅動電壓VDDEL；然而，在不出錯的情況下，必須在典型地8.75V的穩定電壓位準提供該驅動電壓。為此，該平板顯示器包括電源控制單元，且根據基於預設資料的電力開啟順序產生並施加電壓。
    尤其是，在當前趨勢朝向高度整合IC發展以及增加驅動複雜度的情況下，電力開啟順序所需的資料儲存在記憶體中，即EEPROM(electrical erasable programmable read-only memory，電子可抹除可程式唯讀記憶體)。因此，當平板顯示器被開啟時，儲存在EEPROM位址中的資料被讀取，並且產生顯示面板的驅動電壓VDDEL。
    第2圖為顯示傳統有機發光二極體顯示器所使用之EEPROM內部結構示例的等效電路圖。
    如圖所示的，傳統EEPROM相當於第一電晶體T1以及第二電晶體T2。第一電晶體T1的源極連接至第一輸入端子，該第一輸入端子連接至外部控制器(圖中未顯示)，第一電晶體T1的閘極連接至第二電阻器R2，且第一電晶體T1的汲極連接至一輸出端子。第二電晶體T2的源極連接至第二輸入端子，該第二輸入端子連接至該外部控制器，第二電晶體T2的閘極連接至第一電阻器R1，且第二電晶體T2的汲極連接至該輸出端子。
    儘管圖中未顯示，但是上述的輸出端子連接至EEPROM中的資料儲存單元，並且藉由輸出電壓對預定資料執行讀取、寫入以及抹除操作。
    將解釋具有此種結構的EEPROM的驅動，當高位準驅動致能信號VPP_HIGH施加到第二輸入端子，以及施加例如資料寫入信號XWRITEB的特定序列信號時，第一電晶體T1與第二電晶體T2變得導通。因此，資料寫入信號XWRITEB藉由驅動輸出電壓EXVPP經輸出端子提供至EEPROM中的資料單元，從而對資料執行讀取、寫入以及抹除操作。
    根據上述操作，系統配置器配置平板顯示器，所採用的方法是在EEPROM中儲存所需資料，其次藉由典型的表面黏著技術(SMT)程序將平板顯示器的其他驅動IC一起結合到基板上，然後將基板連接到顯示面板。
    上述的SMT程序是將相當大的應力施加到每個驅動IC的過程；應力恰好施加到EEPROM的每個針腳。特別地，如果應力施加到對應上述的資料寫入信號XWRITEB的輸入端子的針腳，那麼在上述的第一電晶體T1與輸出端子之間形成寄生二極體，並且一預定電流流通。所以，儘管對應的序列未輸入，EEPROM也切換到抹除模式，因而可發生資料抹除。
    因此，施加至顯示面板的驅動電壓VDDEL不是在8.75V的預設電壓位準輸出的，而是在14V的任意電壓位準輸出的，因此造成顯示面板故障。
    本發明對解決上述的問題作出了努力，並且本發明的目的是提供一種設置在例如有機發光二極體顯示器的平板顯示器中的平板顯示器驅動電路，且該驅動電路防止在儲存與顯示面板的驅動電壓有關的資料的記憶體中由於外部應力所造成的資料抹除。
    為了達到上述目的，本發明較佳實施例提供一種平板顯示器的驅動電路，該驅動電路包括：一記憶體，該記憶體在第一序列模式與第二序列模式下運作，並且當用於選擇序列模式的控制端子的至少其中之一接地並輸出一對應驅動電壓的資料時，該記憶體設定成該第二序列模式；一控制器，該控制器的輸出端子連接至該控制端子，且該控制器決定該記憶體的序列模式；以及一保護器，該保護器電性地連接至該輸出端子以及該控制端子，並且當一異常電壓施加到該控制端子時，該保護器防止該記憶體在該第一序列模式下發生故障。
    該第一序列模式為該記憶體的一資料抹除模式。
    該第二序列模式為從由該記憶體的待命模式、資料讀取模式以及資料寫入模式所組成的組群中選擇的一種模式。
    該保護器包括一第一切換元件，該第一切換元件的源極連接至該輸出端子，且該第一切換元件的汲極連接至該控制端子；一第二切換元件，該第二切換元件的源極連接至該第一切換元件，該第二切換元件的閘極連接至該控制器的一操作控制信號端子，且該第二切換元件的汲極接地；一第一電阻器，該第一電阻器的兩端子分別連接至該第一切換元件的源極與閘極；一第二電阻器，該第二電阻器的兩端子分別連接至該第二切換元件的源極與閘極；以及一下拉電阻器，連接於該輸出端子與接地端子之間。
    該第一切換元件與該第二切換元件分別為一PMOS電晶體與一NMOS電晶體。
    該保護器進一步包括一齊納二極體，該齊納二極體與該第一切換元件並聯連接，並且該齊納二極體的崩潰電壓大於該異常電壓。
    該異常電壓為藉由在一SMT程序過程中施加到該記憶體的應力而產生的一種電壓。
    該驅動電壓相當於用於驅動一有機發光二極體的電壓。
    該記憶體為一EEPROM。
    為了達到上述目的，本發明的較佳實施例提供一種平板顯示器，其包括：一顯示面板，該顯示面板包括複數個有機發光二極體；一驅動控制單元，控制該顯示面板；以及一電源控制單元，該電源控制單元包括一記憶體與一保護器，該記憶體儲存有關該等有機發光二極體的驅動電壓的資料，該保護器在該驅動控制單元的控制下防止由於該記憶體發生故障所造成的資料抹除。
    依據本發明較佳實施例的該平板顯示器能夠增加該平板顯示器的驅動可靠性，因為該平板顯示器包含一在提供驅動電壓給該顯示面板的該電源控制單元中的保護器，並且藉由在正常驅動過程中提供一相對應電壓給該記憶體以及防止由於被施加的應力造成的異常電壓，預防該記憶體無法預料的序列模式轉變。
    下文中，以下將參考圖式描述依據本發明較佳實施例之平板顯示器的驅動電路。
    第3圖為顯示依據本發明實施例包含驅動電路的平板顯示器的總體結構圖示。
    下文中所要描述的平板顯示器為一種有機發光二極體顯示器，其包括顯示面板110，用於驅動顯示面板110的掃描驅動單元120與資料驅動單元130、用於控制該等驅動單元120與130的驅動控制單元140、以及用於提供驅動電壓給顯示面板110的電源控制單元150。
    如圖所示，顯示面板110包括複數條信號線SL與DL以及複數個像素，該等像素連接該等信號線SL與DL，並且被限定在等效電路圖中以矩陣形式排列的區域中。
    該等信號線SL與DL包括複數條用於傳送掃描信號的掃描線SL以及複數條用於傳送資料信號的資料線DL。該等掃描線SL按行成形，且互相平行地設置，而該等資料線DL按列成形，且垂直於該等掃描線SL並互相平行地設置。
    參閱第1圖，與傳統有機發光二極體顯示器一樣，每個像素也具有同樣的結構，在提供掃描信號的掃描線SL與提供資料信號的資料線DL所劃分的區域中包括切換薄膜電晶體ST與驅動薄膜電晶體DT。掃描線SL與資料線DL互相交叉，且在掃描線SL與資料線DL的交叉點附近設置有機發光二極體D1。
    切換薄膜電晶體ST的閘極連接至掃描線SL，其源極連接至驅動薄膜電晶體DT的閘極，以及其汲極連接至資料線DL並且作用為一切換元件。
    驅動薄膜電晶體DT的閘極連接至切換薄膜電晶體ST的源極以及電容器Cst的一端子，其源極連接至驅動電壓VDDEL，以及其汲極連接至有機發光二極體D1的陽極並且作用為驅動有機發光二極體D1的驅動元件。
    現在將描述具有上述結構的像素的運作。藉由提供至掃描線SL的掃描信號導通切換薄膜電晶體ST，提供至資料線DL的資料信號在電容器Cst中被充電至介於驅動電壓VDDEL與資料信號之間的差分電壓。驅動薄膜電晶體DT提供藉由在電容器Cst中充電的差分電壓而產生的驅動電流IOLED，從而致使有機發光二極體D1發光，然後有機發光二極體D1顯示與驅動電流IOLED成比例的灰階度。
    再次參閱第3圖，掃描驅動單元120連接至顯示面板110的掃描線SL，並且施加由掃描ON電壓與掃描OFF電壓的組合構成的掃描信號，該掃描信號為外部提供。掃描驅動單元120可以在薄膜電晶體制程中一起形成在顯示面板110上。
    資料驅動單元130連接至顯示面板110的資料線DL，並且包括複數個積體電路，該等積體電路產生複數個基於複數個參考電壓的灰階度信號，該等參考電壓產生自參考信號產生器(圖中未示)，該等積體電路選擇被產生的灰階度信號，並且將該灰階度信號作為資料信號施加到每個像素。
    驅動控制單元140藉由產生複數個用於控制掃描驅動單元120、資料驅動單元130等運作的控制信號，並將相應的控制信號提供至掃描驅動單元120與資料驅動單元130，來控制該等驅動單元。
    此外，驅動控制單元140將致能信號EN提供至隨後將描述的電源控制單元150，並且控制電源控制單元150產生顯示面板110的驅動電壓VDDEL。
    電源控制單元150接收來自驅動控制單元140的致能信號EN，並輸出用於驅動每個像素的驅動電晶體(第1圖的DT)的驅動電壓VDDEL。此時，不管外部變化如何，電源控制單元150都輸出具有固定位準的驅動電壓VDDEL。驅動電壓VDDEL被施加到設置在顯示面板110的每個像素中的驅動電晶體T12，以便使顯示面板110的螢幕具有指定的亮度。因此，可以實現具有高品質螢幕的有機發光二極體顯示器。
    為了產生上述的驅動電壓VDDEL，需要包括切換頻率資料、輸出電壓位準資料、回饋電壓控制資料以及軟啟動時序控制資料的多筆資料，並且該多筆資料被儲存在隨後將描述的記憶體中。
    儘管圖中未顯示，但是電源控制單元150除了產生上述的驅動電壓VDDEL之外，還可以產生複數個用於驅動平板顯示器的驅動電壓。在一個例子中，可配置電源控制單元150產生掃描ON電壓Von、掃描OFF電壓Voff等。
    為此，電源控制單元150包括含有設定在其中且有關於驅動電壓位準的資料的記憶體、用於決定並控制該記憶體的序列模式的控制器、以及電性連接至涉及到資料抹除的輸入端子的保護器。其中該保護器防止該儲存的資料被抹除的現象，這種現象是由於當藉由外部施加的應力導致處在從該控制器施加到該記憶體的序列電壓之中的異常電壓被施加時，在該序列模式下記憶體故障所造成的。
    隨後將描述電源控制單元150結構的更詳細描述。
    利用上述的結構，有關提供至整個平板顯示器的顯示面板的驅動電壓的資料穩定地儲存於記憶體中，並且經由平板顯示器的驅動，提供固定驅動電壓至顯示面板，因而增加了平板顯示器的驅動可靠性。
    下文中，以下將參考圖式更詳細地描述作為依據本發明實施例之電源控制單元的結構，也就是，平板顯示器驅動電路。
    第4圖為顯示依據本發明實施例之平板顯示器驅動電路的圖示。
    如圖所示，本發明的平板顯示器的驅動電路包括電源控制單元150，電源控制單元150提供驅動電壓給顯示面板，以響應從驅動控制單元140施加的信號。電源控制單元150包括控制器151，該控制器151將複數個序列電壓施加到記憶體，以決定記憶體的序列模式以及讀取、寫入與抹除資料；記憶體155，該記憶體155儲存有關驅動電壓的資料；以及保護器158，該保護器158連接至控制器151的輸出端子以及附接至輸出端的記憶體155的輸入端子，以使異常驅動電壓通過，從而防止由應力造成的異常電壓。
    更具體地，控制器151承擔產生複數個序列信號的任務，該等序列信號用於控制記憶體的序列模式，以響應從驅動控制單元140施加的信號之中的致能信號EN。
    記憶體155在控制器151的控制之下，對其中所提供的複數個資料單元執行資料讀取、寫入與抹除功能，並且記憶體155可實施為典型的EEPROM。
    記憶體155包括複數個輸入端子與輸出端子。連接至控制器的輸出端子以決定序列模式的輸入端子的例子包括XCEB端子，該XCEB端子用於選擇記憶體155的資料單元；XREADB端子，資料讀取控制信號施加到該XREADB端子；XERASEB端子，資料抹除控制信號施加到XERASEB端子；WRITEB端子，資料寫入控制信號施加到WRITEB端子；XA端子，該XA端子用於指定資料單元的位址；以及XDIN端子，該XDIN端子用於接收資料值。而輸出端子的例子包括EXVPP端子，該EXVPP端子為顯示面板的驅動電壓資料的輸出端子。
    因此，依據輸入至上述之端子中的該等控制信號，決定記憶體155的序列模式，依據該等控制信號決定的序列模式的例子如下表1所示。

    參閱上表1，依據輸入至記憶體155之該等端子中的該等信號，決定待命模式、資料讀取模式、資料寫入模式以及抹除模式。
    特別地，抹除模式為用於抹除儲存在資料單元中的資料的模式。當XREADB端子與XWRITEB端子被施以高位準電壓時，它們切換到抹除模式。
    因此，當在資料寫入記憶體155之後將電源控制單元150組裝在基板上時，XWRITEB端子被接地(GND)，以便記憶體不被設定成切換到抹除模式。
    電源控制單元150藉由典型的SMT方法與掃描驅動單元、資料驅動單元以及驅動控制單元140一同被組裝在電性連接至顯示面板的基板上。這將應力施加到記憶體155，因此造成故障。更具體地，上述電源控制單元150藉由典型的SMT程序被組裝在電性連接至顯示面板的預定基板上，而這種SMT程序是將糊狀焊料塗覆在電路基板表層上，再將所涉及的電源控制單元150組裝在塗覆有糊狀焊料的區域中，然後藉由施加壓力和熱將電源控制單元150與基板電性連接在一起的程序。此時，應力被施加到包含在電源控制單元150中的記憶體的每個針腳。
    由於這種應力，高位準電壓被施加到XWRITEB端子，從而使異常電壓被施加到EXVPP並抹除了儲存在資料單元中的資料。因此，記憶體155的輸出信號D_out沒有被正確地輸出，所以輸出的不是正常的8.75V的驅動電壓VDDEL，而是大約14V的驅動電壓VDDEL被輸出。
    因此，本發明實施例的特徵在於，保護器158連接至記憶體155的XWRITEB端子，以防止由於施加到端子的應力所造成的異常電壓，並只允許正常電壓通過。
    保護器158電性地連接於控制器151的輸出端子與記憶體155的XWRITEB端子之間，並且根據收到來自控制器151的正常位準的XWRITEB電壓，保護器158事實上就將其施加到記憶體155。而且，根據收到異常電壓，保護器158則將其降低到接地位準的XWRITEB’電壓。
    以下將參考圖式描述依據本發明實施例的該保護器158的結構。
    第5圖為第4圖的記憶體與保護器的等效電路圖。
    如圖所示，依據本發明實施例的記憶體155為典型的EEPROM，其相當於第一電晶體T1以及第二電晶體T2。第一電晶體T1的源極連接至第一輸入端子，該第一輸入端子連接至外部控制器(圖中未顯示)，第一電晶體T1的閘極連接至第二電阻器R2，且第一電晶體T1的汲極連接至一輸出端子。第二電晶體T2的源極連接至第二輸入端子，該第二輸入端子連接至該外部控制器，第二電晶體T2的閘極連接至第一電阻器R1，且第二電晶體T2的汲極連接該輸出端子。
    儘管圖中未顯示，但是上述之輸出端子連接至EEPROM中的資料儲存單元，並且藉由輸出電壓對預先確定的資料執行讀取、寫入以及抹除操作。
    下面解釋具有這種結構的EEPROM的驅動。當高位準驅動致能信號VPP_HIGH被施加到第二輸入端子，以及施加具體序列信號，例如資料寫入信號XWRITEB時，第一電晶體T1與第二電晶體T2變得導通。因此，藉由驅動輸出電壓EXVPP將資料寫入信號XWRITEB經輸出端子提供至EEPROM中的資料單元，從而對資料執行讀取、寫入以及抹除操作。
    本發明的保護器158包括PMOS電晶體PMOS以及NMOS電晶體NMOS。PMOS電晶體PMOS的源極連接至XWRITEB信號輸入端子，其閘極連接至NMOS電晶體NMOS的汲極，且其汲極連接至記憶體155的輸入端子。NMOS電晶體NMOS的源極連接至上述的PMOS電晶體PMOS，其閘極連接操作控制信號輸入端子，且其汲極接地。
    此外，保護器158包括第三電阻器R3以及第四電阻器R4，第三電阻器R3的兩端子分別連接至PMOS電晶體PMOS的源極與閘極，第四電阻器R4的兩端子分別連接至NMOS電晶體NMOS的源極與閘極。另外，保護器158進一步包括下拉電阻器RPD，該下拉電阻器RPD設置在XWRITEB信號輸入端子與接地端子之間。上述的下拉電阻器RPD較佳具有大約4Ω的電阻值。
    利用上述結構，如果資料寫入記憶體155中，也就是說，顯示面板的驅動電壓VDDEL被設定，則由控制器(圖中未顯示)施加驅動控制信號CTL。因此，NMOS電晶體NMOS與PMOS電晶體PMOS相繼變得導通。所以，當XWRITEB信號輸出至輸入端子中時，該信號被定義為正常電壓，且該信號被施加到記憶體155。
    當在完成記憶體155的設定之後藉由SMT程序將記憶體155組裝在基板上時，如果由於SMT程序所產生的應力，且因此異常電壓施加到輸入端子，則使PMOS電晶體PMOS處於關閉狀態。因此，異常電壓被連接到同樣節點的下拉電阻器RPD下降到接地電壓位準，因而沒有XWRITEB施加到記憶體155。結果，XWRITEB端子保持在低位準。
    利用上述結構，當由於SMT程序導致應力被施加到其上時，該保護器，也就是依據本發明實施例的平板顯示器的驅動電路降低了施加到記憶體的異常電壓，從而防止了記憶體發生故障。
    除了SMT程序之外，無法預期的電壓也可能由外施加，因而使高位準電壓可能被施加到記憶體的XWRITEB端子，從而造成記憶體發生故障。下文中，將參考圖式描述依據本發明另一實施例的平板顯示器的驅動電路。
    第6圖為依據本發明另一實施例之平板顯示器驅動電路的等效電路圖。
    第6圖所說明的記憶體255與上述第5圖所說明的實施例的記憶體相同。但是，保護器258進一步包括用於移除外部施加電壓的齊納二極體。
    下面詳細描述保護器258的結構。保護器258包括第三電阻器R3以及第四電阻器R4，第三電阻器R3的兩端子分別連接至PMOS電晶體PMOS的源極與閘極，第四電阻器R4的兩端子分別連接至NMOS電晶體NMOS的源極與閘極。另外，保護器258進一步包括下拉電阻器RPD，該下拉電阻器RPD設置在XWRITEB信號輸入端子與接地端子之間。
    而且，齊納二極體ZD連接至PMOS電晶體PMOS的源極與汲極。該齊納二極體ZD是用於移除可能在保護器258與記憶體255之間的連接部份產生的外部應力所造成的異常電壓，並且該齊納二極體ZD的崩潰電壓大於異常電壓，而小於正常電壓。
    因此，萬一產生異常電壓，那麼藉由下拉電阻器RPD使異常電壓降低至接地電壓位準，從而防止記憶體發生故障。
    當在不脫離本發明特點的前提下以多種形式實現本發明特徵時，應當理解的是，除非另有指定或說明，否則上述實施例並沒有被前述任何細節所限制，相反地，應當在所附的申請專利範圍所定義的範圍內廣泛地理解上述實施例。因此，落入申請專利範圍的界限或該界限的等效範圍之內的所有變更與修飾均被含蓋在附加的申請專利範圍內。
    110‧‧‧顯示面板
    120‧‧‧掃描驅動單元
    130‧‧‧資料驅動單元
    140‧‧‧驅動控制單元
    150‧‧‧電源控制單元
    151‧‧‧控制器
    155‧‧‧記憶體
    158‧‧‧保護器
    255‧‧‧記憶體
    258‧‧‧保護器
    所附圖式被包括在內提供了對本發明的進一步理解，並且被納入構成說明書的一部分，舉例說明示範性實施例並且與說明書一起解釋本發明的原理。
    圖式中：第1圖為顯示構成上述平板顯示器中有機發光二極體顯示器的單個像素示例的視圖；第2圖為顯示傳統有機發光二極體顯示器所使用之EEPROM內部結構示例的等效電路圖；第3圖為顯示依據本發明實施例包含驅動電路的平板顯示器的總體結構視圖；第4圖為顯示依據本發明實施例之平板顯示器驅動電路的視圖；第5圖為第4圖的記憶體與保護器的等效電路圖；以及第6圖為依據本發明另一實施例之平板顯示器驅動電路的等效電路圖。
    140‧‧‧驅動控制單元
    150‧‧‧電源控制單元
    151‧‧‧控制器
    155‧‧‧記憶體
    158‧‧‧保護器
    权利要求:
    Claims (10)
    [1] 一種平板顯示器的驅動電路，包括：一記憶體，該記憶體在一第一序列模式與一第二序列模式下運作，並且當用於選擇一序列模式的複數個控制端子的至少其中之一接地並輸出一對應驅動電壓的資料時，該記憶體被設定成該第二序列模式；一控制器，該控制器的輸出端子連接至該控制端子，並且該控制器決定該記憶體的該序列模式；以及一保護器，該保護器電性地連接至該輸出端子以及該控制端子，並且當一異常電壓施加到該控制端子時，該保護器防止該記憶體在該第一序列模式下發生故障。
    [2] 依據申請專利範圍第1項所述之平板顯示器的驅動電路，其中，該第一序列模式為該記憶體的一資料抹除模式。
    [3] 依據申請專利範圍第1項所述之平板顯示器的驅動電路，其中，該第二序列模式為從由該記憶體的待命模式、資料讀取模式以及資料寫入模式所組成之組群中選擇的一種模式。
    [4] 依據申請專利範圍第1項所述之平板顯示器的驅動電路，其中，該保護器包括：一第一切換元件，該第一切換元件的源極連接至該輸出端子，且該第一切換元件的汲極連接至該控制端子；一第二切換元件，該第二切換元件的源極連接至該第一切換元件，該第二切換元件的閘極連接至該控制器的一操作控制信號端子，且該第二切換元件的汲極接地；一第一電阻器，該第一電阻器的兩端子分別連接至該第一切換元件的源極與閘極；一第二電阻器，該第二電阻器的兩端子分別連接至該第二切換元件的源極與閘極；以及一下拉電阻器，連接於該輸出端子與接地端子之間。
    [5] 依據申請專利範圍第4項所述之平板顯示器的驅動電路，其中，該第一切換元件與該第二切換元件分別為一P型金氧半導體(PMOS)電晶體與一N型金氧半導體(NMOS)電晶體。
    [6] 依據申請專利範圍第4項所述之平板顯示器的驅動電路，其中，該保護器進一步包括一齊納二極體，該齊納二極體與該第一切換元件並聯連接，並且該齊納二極體的崩潰電壓大於該異常電壓。
    [7] 依據申請專利範圍第1項所述之平板顯示器的驅動電路，其中，該異常電壓為藉由在一表面黏著技術(SMT)程序中施加到該記憶體的應力而產生的一種電壓。
    [8] 依據申請專利範圍第1項所述之平板顯示器的驅動電路，其中，該驅動電壓相當於用於驅動一有機發光二極體的一電壓(VDDEL)。
    [9] 依據申請專利範圍第1項所述之平板顯示器的驅動電路，其中，該記憶體為一電子可抹除可程式唯讀記憶體(EEPROM)。
    [10] 一種平板顯示器，包括：一顯示面板，該顯示面板包括複數個有機發光二極體；一驅動控制單元，控制該顯示面板；以及一電源控制單元，該電源控制單元包括一記憶體與一保護器，該記憶體儲存有關該等有機發光二極體驅動電壓的資料，該保護器在該驅動控制單元的控制下防止由於該記憶體發生故障所造成的資料抹除。
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